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STS2301A	文件：471.41 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STS2302A	文件：109.49 Kbytes Page：7 Pages	Super high dense cell design for low RDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS2302S	文件：806.59 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-23package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS2305	文件：110.88 Kbytes Page：7 Pages	Super high dense cell design for low RDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS2305A	文件：174.26 Kbytes Page：7 Pages	Super high dense cell design for low RDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS2306	文件：646.68 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-23package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS2306	文件：1.0517 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters •LoadSwitchforPortableApplications	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STS2306A	文件：145.13 Kbytes Page：7 Pages	S uper high dense cell design for low R DS (ON). FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SurfaceMountPackage. ●ESDProtected.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS2306E	文件：141.87 Kbytes Page：7 Pages	S uper high dense cell design for low R DS (ON). FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SurfaceMountPackage. ●ESDProtected.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop

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产品属性

产品编号：
STS
制造商：
3M
类别：
电缆，电线 - 管理 > 标记物
系列：
STS
包装：
盒
类型：
导线标记
尺寸：
0.75" 宽 x 1.40" 长（19.1mm x 35.6mm）
电缆直径：
0.090" ~ 0.315"（2.29mm ~ 8.00mm）
图例：
空白
颜色：
白色
材料：
乙烯基
描述：
WIRE MARKER 19.1MM X 35.6MM WHT

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