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STS2305	文件：110.88 Kbytes Page：7 Pages	Super high dense cell design for low RDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN	Samhop 三合微科	Samhop
STS2305A	文件：174.26 Kbytes Page：7 Pages	Super high dense cell design for low RDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN	Samhop 三合微科	Samhop
STS2305A	文件：1.03828 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2305	文件：23.42 Kbytes Page：1 Pages	InsulatedLowThermalEMFSpadeLug	POMONA Pomona Electronics	POMONA
2305-H	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2305-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2305-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2305-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2305-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2305-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
ACE2305	文件：437.47 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE2305	文件：195.57 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE2305B	文件：940.32 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE2305BM+	文件：195.57 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE2305BM+H	文件：437.47 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
AK2305	文件：481.19 Kbytes Page：43 Pages	DualPCMCODECforISDNTERMINALADAPTER GENERALDESCRIPTION AK2305isadualPCMCODEC-FiltermostsuitableforISDNTerminalAdapter.A-law/u-lawisselectedbytheinternalregister.InadditiontoCODEC,thisdevicehasdualDTMFreceiverandExternalToneInputpin. FEATURE -DualPCMCODECandFilteringsystemsfor ISDNTerm	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
AM2305	文件：749.4 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM2305usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. TheAM2305isavailableinSOT-23package. FEATURES VDS=-20V,ID=	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM2305P	文件：68.23 Kbytes Page：3 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET P-Channel20-V(D-S)MOSFET TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeahighcelldensitytrenchprocesstoprovidelowrDS(on)andtoensureminimalpowerlossandheatdissipation.TypicalapplicationsareDC-DCconvertersandpowermanagementinportableandbattery-poweredproductssucha	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AM2305PE	文件：346.15 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET KeyFeatures: •LowrDS(on)trenchtechnology •Lowthermalimpedance •Fastswitchingspeed TypicalApplications: •WhiteLEDboostconverters •AutomotiveSystems •IndustrialDC/DCConversionCircuits	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AMS2305	文件：318.19 Kbytes Page：6 Pages	SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON)	AMSAdvanced Monolithic Systems 艾迈斯艾迈斯半导体	AMS

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更多STS2305供应商更新时间2024-4-28 16:57:00

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