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STS2306E	文件：141.87 Kbytes Page：7 Pages	S uper high dense cell design for low R DS (ON). FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● Surface Mount Package. ● ESD Protected. 文件：141.87 Kbytes 页数：7 Pages	SAMHOP 三合微科	SAMHOP
STS2307	文件：471.4 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters 文件：471.4 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STS2307	文件：591.98 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● SOT-23 package. 文件：591.98 Kbytes 页数：7 Pages	SAMHOP 三合微科	SAMHOP
STS2307A	文件：718.36 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● SOT-23 package. 文件：718.36 Kbytes 页数：7 Pages	SAMHOP 三合微科	SAMHOP
STS2307A	文件：471.5 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters 文件：471.5 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STS2308A	文件：710.18 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● SOT-23 package. 文件：710.18 Kbytes 页数：7 Pages	SAMHOP 三合微科	SAMHOP
STS2309	文件：701.99 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● SOT-23 package. 文件：701.99 Kbytes 页数：7 Pages	SAMHOP 三合微科	SAMHOP
STS2309	文件：482.57 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters 文件：482.57 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STS2309A	文件：720.21 Kbytes Page：7 Pages	P -Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● SOT-23 package. 文件：720.21 Kbytes 页数：7 Pages	SAMHOP 三合微科	SAMHOP
STS2309A	文件：471.62 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters 文件：471.62 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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晶体管资料

型号：
STS103
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率开关（PSW）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
3DK109C,
最大耗散功率：
125W
放大倍数：
β=20-50
图片代号：
E-44
vtest：
80
htest：
999900
atest：
15
wtest：
125

产品属性

产品编号：
STS
制造商：
3M
类别：
电缆，电线 - 管理 > 标记物
系列：
STS
包装：
盒
类型：
导线标记
尺寸：
0.75" 宽 x 1.40" 长（19.1mm x 35.6mm）
电缆直径：
0.090" ~ 0.315"（2.29mm ~ 8.00mm）
图例：
空白
颜色：
白色
材料：
乙烯基
描述：
WIRE MARKER 19.1MM X 35.6MM WHT

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更多STS供应商更新时间2026-1-20 10:20:00

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