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STP265N6F6AG中文资料Automotive-grade N-channel 60 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220 package数据手册ST规格书
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描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
AEC-Q101 qualified
Very low on-resistance
Very low gate charge
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SYMMETROM |
24+ |
NA/ |
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