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STL12N60M6中文资料N沟道600 V、390 mOhm典型值、6.4 A MDmesh M6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封装数据手册ST规格书
STL12N60M6规格书详情
描述 Description
The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
特性 Features
• Reduced switching losses
• Lower RDS(on) per area vs previous generation
• Low gate input resistance
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STL12N60M6
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 HV
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.49
- Drain Current (Dc)_max(A)
：6.4
- PTOT_max(W)
：48
- Qg_typ(nC)
：12.3
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