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STH80N10LF7-2AG规格书详情
描述 Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Among the lowest RDS(on) on the market
• Excellent FoM (figure of merit)
• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
• High avalanche ruggedness
技术参数
- 制造商编号
：STH80N10LF7-2AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-2
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0095
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：45
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO-3P |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3346 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO263 |
22055 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
H2PAK-3 |
6900 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
STH |
22+23+ |
SOT23-6 |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
询价 | ||
ST |
2511 |
TO-263 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
STH |
24+ |
SOT23-6 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO-263 |
96 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
H2PAK-3 |
12000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 |
