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STH80N10LF7-2AG中文资料N沟道100 V、0.008 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-2封装数据手册ST规格书
STH80N10LF7-2AG规格书详情
描述 Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Among the lowest RDS(on) on the market
• Excellent FoM (figure of merit)
• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
• High avalanche ruggedness
技术参数
- 制造商编号
：STH80N10LF7-2AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-2
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0095
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：45
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3346 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
22+ |
TO-3P |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST |
16+ |
TO-263 |
96 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
H2PAK-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
H2PAK-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
H2PAK-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-3P |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 |
