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STH80N10F7-2数据手册ST中文资料规格书
STH80N10F7-2规格书详情
描述 Description
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
特性 Features
• 极低的栅极电荷
• 超低导通电阻
• 低栅极输入电阻
技术参数
- 制造商编号
：STH80N10F7-2
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-2
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0095
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：45
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
2447 |
H2PAK-2 |
105000 |
1000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
H2PAK-2 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2021+ |
H2PAK-2 |
7600 |
原装现货，欢迎询价 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
H2PAK-2 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
H2PAK-2 |
6000 |
原厂原装 欢迎询价 |
询价 |
