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STH80N10F7-2中文资料N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package数据手册ST规格书
STH80N10F7-2规格书详情
描述 Description
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
特性 Features
• 极低的栅极电荷
• 超低导通电阻
• 低栅极输入电阻
技术参数
- 制造商编号
：STH80N10F7-2
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-2
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0095
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：45
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