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STH12N120K5-2AG中文资料Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in an H2PAK-2 package数据手册ST规格书
STH12N120K5-2AG规格书详情
描述 Description
这款超高压N-沟道功率MOSFET采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新型专有垂直结构为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
特性 Features
• 符合AEC-Q101标准
• 业界领先的低RDS(on) x 面积
• 业界出色的品质因数 (FoM)
• 极低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST(意法) |
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