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STGWA20IH65DF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
STGWA20IH65DF |
| 参数属性 | STGWA20IH65DF 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20 |
| 功能描述 | Trench gate field-stop 650 V, 20 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 long leads package |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 10:04:00 |
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STGWA20IH65DF规格书详情
描述 Description
The newest IGBT 650 V soft-switching IH series has been developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure, whose performance is optimized both in conduction and switching losses for soft commutation. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is included. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for any resonant and soft-switching applications.
特性 Features
• Designed for soft-commutation
• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
• VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A
• Minimized tail current
• Tight parameter distribution
• Low thermal resistance
• Low drop voltage freewheeling co-packaged diode
• Positive VCE(sat) temperature coefficient
简介
STGWA20IH65DF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGWA20IH65DF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：STGWA20IH65DF
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-247 long leads
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：650
- PTOT_max(W)
：159
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：40
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：20
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：20
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
：10
- VCE(sat)_typ(V)
：1.55
- VF_typ(V)
：1.85
- Qg_typ(nC)
：56
- Eoff_typ(mJ)
：0.11
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
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