STGWA100H65DFB2数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

最新的IGBT 650 V HB2系列代表了先进的专有沟槽栅场截止结构的发展。凭借低电流值下具有更好的VCECE(sat)表现和开关能量的降低，使HB2系列的传导性能得到了优化。极快软恢复二极管与IGBT反并联封装在一起。从而实现了专门设计用于最大化各种快速应用效率的产品。

特性 Features

• 最大结温：TJ = 175 °C
• 低VCE(sat) = = 1.55 V （典型值）@ IC = 100 A
• 极快软恢复共封装二极管
• 最小尾电流
• 紧凑参数分布
• 低热阻
• 正VCE(sat)温度系数

简介

STGWA100H65DFB2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGWA100H65DFB2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。