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STGW60V60DLF中文资料600 V, 60 A very high speed trench gate field-stop IGBT数据手册ST规格书

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厂商型号

STGW60V60DLF

参数属性

STGW60V60DLF 包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT BIPO 600V 60A TO247

功能描述

600 V, 60 A very high speed trench gate field-stop IGBT
IGBT BIPO 600V 60A TO247

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 17:28:00

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STGW60V60DLF规格书详情

简介

STGW60V60DLF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGW60V60DLF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    STGW60V60DLF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 描述:

    IGBT BIPO 600V 60A TO247

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