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STGWA19NC60HD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
STGWA19NC60HD |
参数属性 | STGWA19NC60HD 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 52A 208W TO247 |
功能描述 | 31 A、600 V超快IGBT,带超高速二极管 |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-9 9:51:00 |
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STGWA19NC60HD规格书详情
描述 Description
This device uses the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
特性 Features
• Low on-voltage drop (VCE(sat))
• Very soft UltraFAST recovery anti-parallel diode
简介
STGWA19NC60HD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGWA19NC60HD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:STGWA19NC60HD
- 生产厂家
:ST
- Package
:TO-247 long leads
- Grade
:Industrial
- VCES_max(V)
:600
- PTOT_max(W)
:208
- Freewheeling diode
:true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
:31
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
:52
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
:20
- VCE(sat)_typ(V)
:1.8
- VF_typ(V)
:2.6
- Qg_typ(nC)
:53
- Eon_typ(mJ)
:0.09
- Eoff_typ(mJ)
:0.19
- Qrr_typ(nC)
:30
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO-247 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
25+ |
SMD |
8100 |
达林顿晶体管阵列/明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-247 |
5000 |
询价 | |||
ST |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-247 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO247 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 |