STGWA15M120DF3中文资料1200 V、15 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT数据手册ST规格书

描述 Description

此器件使用先进的专有沟槽栅场截止结构技术，作为M系列IGBT的一部分，它代表了为了使逆变系统效率最大化同时又兼顾 了低损耗和短路能力的最佳折中。此外，它的VCE(sat)正温度系数特性和超紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。

特性 Features

•  10μs的短路耐受时间
• VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 15 A
• 紧密的参数分布
•  安全并联
• 低热阻
•  软恢复反并联二极管

简介

STGWA15M120DF3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGWA15M120DF3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。