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STD7NK30Z

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 5.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.9Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:299.55 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STD7NK30Z

N-channel, 300 V, 0.80 廓, 5 A TO-220, TO-220FP, DPAK Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET

文件:731.63 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD7NK30Z

N-channel, 300 V, 0.80 Ω, 5 A TO-220, TO-220FP, DPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

ST

意法半导体

STF7NK30Z

N-CHANNEL 300V-0.80ohm-5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET

文件:266.02 Kbytes 页数:10 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STF7NK30Z

N-CHANNEL 300V - 0.80廓 - 5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH?줞OSFET

文件:344.54 Kbytes 页数:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STF7NK30Z

N-channel, 300 V, 0.80 廓, 5 A TO-220, TO-220FP, DPAK Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET

文件:731.63 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    STD7NK30Z

  • 功能描述:

    MOSFET POWER MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多STD7NK30Z供应商 更新时间2026-1-17 15:47:00