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STD25P03L	文件：234.31 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET – Power, P-Channel, Logic Level, DPAK -25 A, -30 V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsandto withstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes. Thesourceïtoïdraindioderecoverytimeiscomparabletoadiscrete fastrecoverydiode. Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
STD25P03LT4G	文件：234.31 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET – Power, P-Channel, Logic Level, DPAK -25 A, -30 V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsandto withstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes. Thesourceïtoïdraindioderecoverytimeiscomparabletoadiscrete fastrecoverydiode. Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
STD25P03LT4G	文件：117.9 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HM25P03D	文件：560.36 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM25P03K	文件：846.33 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM25P03Q	文件：570.22 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
NTD25P03	文件：408.79 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel-30V(D-S)MOSFET PRODUCTSUMMARY VDS(V)=-30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
NTD25P03	文件：74.3 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
STD25P03L
功能描述：
MOSFET PFET 30V SPCL TR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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