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STD25P03LT4G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STD25P03LT4G

功能描述

MOSFET – Power, P-Channel, Logic Level, DPAK -25 A, -30 V

文件大小

234.31 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-15 15:15:00

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STD25P03LT4G规格书详情

Designed for low voltage, high speed switching applications and to

withstand high energy in the avalanche and commutation modes.

The sourceïtoïdrain diode recovery time is comparable to a discrete

fast recovery diode.

特性 Features

• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Site and Control Change Requirements; AECïQ101 Qualified and

PPAP Capable

• These Devices are PbïFree and are RoHS Compliant

Typical Applications

• PWM Motor Controls

• Power Supplies

• Converters

• Bridge Circuits

产品属性

  • 型号:

    STD25P03LT4G

  • 功能描述:

    MOSFET PFET 30V SPCL TR

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMICROELECTRONICS
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