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STD25P03LT4G	文件：234.31 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET – Power, P-Channel, Logic Level, DPAK -25 A, -30 V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsandto withstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes. Thesourceïtoïdraindioderecoverytimeiscomparabletoadiscrete fastrecoverydiode. Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
STD25P03LT4G	文件：117.9 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTD25P03LT4G	文件：679.5 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-30V,ID=-20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
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NTD25P03LT4G	文件：1.0148 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
STD25P03LT4G
功能描述：
MOSFET PFET 30V SPCL TR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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