首页 >NTD25P03LT4>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

NTD25P03LT4

Power MOSFET

文件:74.3 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD25P03LT4

Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt

文件:160.39 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD25P03LT4G

MOSFET – Power, P-Channel, Logic Level, DPAK -25 A, -30 V

Designed for low voltage, high speed switching applications and to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The sourceïtoïdrain diode recovery time is comparable to a discrete fast recovery diode. Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uniqu

文件:234.31 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD25P03LT4G

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= -30V, ID= -20A RDS(ON)

文件:679.5 Kbytes 页数:4 Pages

Bychip

百域芯

NTD25P03LT4G

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.0148 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD25P03LT4G

Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt

文件:160.39 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD25P03LT4G

Power MOSFET

文件:117.9 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTD25P03LT4

  • 功能描述:

    MOSFET -30V -25A P-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
24+
TO252
2038
原装正品,现货库存,1小时内发货
询价
ON/安森美
24+
TO-252
2500
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
ON/安森美
17+
DPAK4LEADSINGLEGAUGE
31518
原装正品 可含税交易
询价
ON(安森美)
23+
14811
公司只做原装正品,假一赔十
询价
ON/安森美
24+
TO-252
505348
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
询价
ON
24+
DPAK
36800
询价
ON
09+
DPAK-3
5500
原装无铅,优势热卖
询价
ON
23+
TO-252
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
询价
ONS
24+
TO-252
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
询价
ON
6000
面议
19
DIP/SMD
询价
更多NTD25P03LT4供应商 更新时间2025-10-4 10:01:00