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STD2NB60T4

N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET

DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a

文件:228.59 Kbytes 页数:11 Pages

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意法半导体

STD2NB60T4

Power MOSFET

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TO-252

ST

详细参数

  • 型号:

    STD2NB60T4

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600 Volt 2 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST/意法
17+
TO-252
31518
原装正品 可含税交易
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ST/意法
2021+
TO-252
9000
原装现货,随时欢迎询价
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ST
24+
TO-252
7600
新进库存/原装
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ST
17+
TO-252
6200
询价
ST
24+
原厂封装
2235
原装现货假一罚十
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TO-252
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ST/意法
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