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STD2NB80 | N - CHANNEL 800V - 4.6 ohm - 1.9A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a 文件：92.22 Kbytes 页数：9 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
STD2NB80 | N - CHANNEL 800V - 4.6 ohm - 1.9A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET | ST 意法半导体 | ST | |
TO-252 | ST 上传：深圳市轩嘉盛电子有限公司 | ST | ||
TO-252 | ST 上传：深圳市旺财半导体有限公司 | ST | ||
TO-252 | ST | ST |
详细参数
- 型号：
STD2NB80
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2025-11-20 17:44:00
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