STD2NB80中文资料N - CHANNEL 800V - 4.6 ohm - 1.9A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET数据手册ST规格书
技术参数
- 型号：
STD2NB80
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
TO-252 |
11200 |
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询价 | ||
ST |
2447 |
SOT-252 |
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
SOT252 |
20000 |
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ST |
25+23+ |
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ST |
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ST |
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STM |
ROHS |
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询价 | |||
ST |
23+ |
TO-252 |
8795 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
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