STD2N95K5中文资料N沟道950 V、4.2 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD2N95K5规格书详情
描述 Description
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
特性 Features
• Industry’s lowest RDS(on) x area
• Industry’s best FoM (figure of merit)
• Ultra-low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD2N95K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：950
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：5
- Drain Current (Dc)_max(A)
：2
- PTOT_max(W)
：45
- Qg_typ(nC)
：10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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ST |
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ST/意法 |
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TO252 |
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STMICROELECTRONICS |
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ST/意法 |
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TO252 |
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