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STD26P3LLH6中文资料P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、12 A STripFET(TM) VI DeepGATE功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD26P3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages
特性 Features
• RDS(on)* Qgindustry benchmark
• Extremely low on-resistance RDS(on)
• High avalanche ruggedness
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STD26P3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.045
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.03
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-24
- PTOT_max(W)
：40
- Qg_typ(nC)
：12
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
DPAK(TO-252-3) |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
504511 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ST |
45583 |
只做正品 |
询价 | ||||
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
STMICROELECTRONICS |
24+ |
N/A |
116579 |
原装原装原装 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
48000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
NK/南科功率 |
2025+ |
DPAK |
986966 |
国产 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 |
