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STD26P3LLH6数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

STD26P3LLH6

功能描述

P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、12 A STripFET(TM) VI DeepGATE功率MOSFET,DPAK封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-10 23:01:00

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STD26P3LLH6规格书详情

描述 Description

This device is a P-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages

特性 Features

• RDS(on)* Qgindustry benchmark
• Extremely low on-resistance RDS(on)
• High avalanche ruggedness
• Low gate input resistance

技术参数

  • 制造商编号

    :STD26P3LLH6

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :DPAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :-30

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)

    :0.045

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.03

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :-24

  • PTOT_max(W)

    :40

  • Qg_typ(nC)

    :12

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