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STD28P3LLH6AG规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with anew trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) inall packages.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
• Logic level
技术参数
- 制造商编号
：STD28P3LLH6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：-30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.05
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.03
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-12
- PTOT_max(W)
：33
- Qg_typ(nC)
：29
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
8250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ST/意法 |
20+ |
TO-252 |
5000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
5000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-252-3 |
12000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
ST/意法原装特价STD28P3LLH6AG即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST |
20+ |
TO-252 |
5000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
