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STD25N10F7中文资料N沟道100 V、0.027 Ohm典型值、25 A STripFET F7功率MOSFET,DPAK封装数据手册ST规格书
STD25N10F7规格书详情
描述 Description
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
特性 Features
• 超低导通电阻
• 经过100%雪崩测试
技术参数
- 制造商编号
:STD25N10F7
- 生产厂家
:ST
- Package
:DPAK
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.035
- Drain Current (Dc)_max(A)
:25
- PTOT_max(W)
:40
- Qg_typ(nC)
:13
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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