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STD25N10F7中文资料N沟道100 V、0.027 Ohm典型值、25 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD25N10F7规格书详情
描述 Description
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS（on）。
特性 Features
• 超低导通电阻
• 经过100％雪崩测试
技术参数
- 制造商编号
：STD25N10F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.035
- Drain Current (Dc)_max(A)
：25
- PTOT_max(W)
：40
- Qg_typ(nC)
：13
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
TO252 |
54648 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-252 |
880000 |
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ST/意法 |
新年份 |
TO-252 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
504519 |
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ST(意法) |
24+ |
TO-252-2(DPAK) |
9448 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
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ST(意法) |
25+ |
5000 |
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