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STD28P3LLH6AG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive-grade P-channel -30 V, 0.027 Ohm typ., -12 A, STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with anew trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) inall packages.\n • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified\n• Very low on-resistance\n• Very low gate charge• High avalanche ruggedness\n• Low gate drive power loss\n• Logic level;	ST 意法半导体	ST
STD28P3LLH6AG	文件：720.88 Kbytes Page：15 Pages	High avalanche ruggedness 文件：720.88 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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更多STD28P3LLH6AG供应商更新时间2025-10-5 9:04:00