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STD10P6F6_V01中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STD10P6F6_V01
厂商型号

STD10P6F6_V01

功能描述

P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages

丝印标识

10P6F6

封装外壳

DPAK

文件大小

1.20288 Mbytes

页面数量

24

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-20 20:00:00

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STD10P6F6_V01规格书详情

Features

• Very low on-resistance

• Very low gate charge

• High avalanche ruggedness

• Low gate drive power loss

Applications

• Switching applications

Description

These devices are P-channel Power MOSFETs

developed using the STripFET™ F6 technology,

with a new trench gate structure. The resulting

Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all

packages.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
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TO-252
100000
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