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STD10NM60ND规格书详情
描述 Description
This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low onresistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
■ Extremely high dv/dt avalanche capabilities
Applications
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STD10NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
6250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO252 |
6996 |
只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST |
20+ |
SOT252 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
TO252 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
原装 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO220 |
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绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 |
