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STD10NM60ND规格书详情
Description
This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low onresistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
■ Extremely high dv/dt avalanche capabilities
Applications
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STD10NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO252 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO-252 |
23480 |
询价 | |||
ST |
23+ |
TO252 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
16900 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
5000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 |
