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STD10LN80K5中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STD10LN80K5

功能描述

N-channel 800 V, 0.55 Ω typ., 8 A MDmesh™ K5 Power MOSFET in a DPAK package

丝印标识

10LN80K5

封装外壳

DPAK

文件大小

842.01 Kbytes

页面数量

17

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-29 16:54:00

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STD10LN80K5规格书详情

特性 Features

 Industry’s lowest RDS(on) x area

 Industry’s best FoM (figure of merit)

 Ultra-low gate charge

 100 avalanche tested

 Zener-protected

Applications

 Switching applications

描述 Description

This very high voltage N-channel Power

MOSFET is designed using MDmesh™ K5

technology based on an innovative proprietary

vertical structure. The result is a dramatic

reduction in on-resistance and ultra-low gate

charge for applications requiring superior power

density and high efficiency.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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