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STD10NM60ND	文件：1.2278 Mbytes Page：19 Pages	丝印：10NM60ND；Package：DPAK；N-channel 600 V, 0.57, 8 A, DPAK, TO-220FP, TO-220 FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) Description This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low onresistance and superior switching performance. It is 文件：1.2278 Mbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STF10NM60ND	文件：1.2278 Mbytes Page：19 Pages	丝印：10NM60ND；Package：TO-220FP；N-channel 600 V, 0.57, 8 A, DPAK, TO-220FP, TO-220 FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) Description This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low onresistance and superior switching performance. It is 文件：1.2278 Mbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP10NM60ND	文件：1.2278 Mbytes Page：19 Pages	丝印：10NM60ND；Package：TO-22；N-channel 600 V, 0.57, 8 A, DPAK, TO-220FP, TO-220 FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) Description This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low onresistance and superior switching performance. It is 文件：1.2278 Mbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
10NM60ND	文件：2.1502 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET 文件：2.1502 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
10NM60ND
功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多10NM60ND供应商更新时间2025-8-8 14:11:00

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