STD10P10F6芯片丝印丝印对应型号-114ic电子网

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STD10P10F6	文件：403.87 Kbytes Page：16 Pages	丝印：10P10F6；Package：DPAK；P-channel -100 V, 0.36 Ω typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package Features • Very low on-resistance • Very low gate charge • High avalanche ruggedness • Low gate drive power loss Applications • Switching applications Description This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure. The 文件：403.87 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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更多10P10F6供应商更新时间2025-9-21 14:14:00