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STD10P10F6中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STD10P10F6

功能描述

P-channel -100 V, 0.36 Ω typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

丝印标识

10P10F6

封装外壳

DPAK

文件大小

403.87 Kbytes

页面数量

16

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-5 16:12:00

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STD10P10F6规格书详情

特性 Features

• Very low on-resistance

• Very low gate charge

• High avalanche ruggedness

• Low gate drive power loss

Applications

• Switching applications

描述 Description

This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6

technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits

very low RDS(on) in all packages.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
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