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STD10NM65N规格书详情
Description
This series of devices implements the second generation of MDmesh™ Technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the Company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STD10NM65N
- 功能描述：
MOSFET N-Channel 650V Power MDmesh
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
原盒原包装 |
33000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ST |
22 |
TO-252 |
25000 |
3月31原装,微信报价 |
询价 | ||
ST |
2020+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
2295 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
13+ |
TO252 |
20 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO252 |
8700 |
原装现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO252 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
ST |
23+24 |
D-Pak |
8148 |
主营ST原装原盘原标,提供BOM一站式配单 |
询价 | ||
23+ |
TO-251PBF |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
TO252DPAK |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 |
