首页>STD10NM65N>规格书详情
STD10NM65N中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STD10NM65N规格书详情
描述 Description
This series of devices implements the second generation of MDmesh™ Technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the Company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STD10NM65N
- 功能描述：
MOSFET N-Channel 650V Power MDmesh
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
21+ |
DPAK |
2500 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
ST意法 |
N/A |
22+ |
569888 |
原装正品现货 支持BOM配单! |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-252(2引线+接 |
387 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
2295 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
23+ |
原盒原包装 |
33000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ST |
13+ |
TO252 |
20 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST |
22+ |
原厂原封装 |
86720 |
代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST全系列 |
25+23+ |
TO-252 |
26595 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 |
