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STD10NM60N规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel 600 V Power MOSFET realized using the second generation of MDmesh™ technology. It applies the benefits of the multiple drain process to STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product offers improved on-resistance, low gate charge, high dv/dt capability and excellent avalanche characteristics.
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
Switching applications
产品属性
- 型号：
STD10NM60N
- 功能描述：
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2016+ |
TO-252 |
6584 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
询价 | ||
ST |
23+ |
原盒原包装 |
33000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-252 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST |
2018+ |
26976 |
代理原装现货/特价热卖! |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
2024+ |
DPAK |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ST |
1126+ |
TO252 |
230 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-252-3 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 |
