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STD10NM60N规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel 600 V Power MOSFET realized using the second generation of MDmesh™ technology. It applies the benefits of the multiple drain process to STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product offers improved on-resistance, low gate charge, high dv/dt capability and excellent avalanche characteristics.
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
Switching applications
产品属性
- 型号：
STD10NM60N
- 功能描述：
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
原盒原包装 |
33000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-252 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
TO-252-2(DPAK) |
37048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ST |
24+ |
QFN |
5000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
N/A |
5000 |
原装分货 强势渠道 |
询价 | ||
GW |
23+24 |
SMA |
56983 |
原装正品,原盘原标,提供BOM一站式配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
2405+ |
n/a |
9845 |
十年芯路!诚信赢客户!合作创未来! |
询价 | ||
ST(意法) |
25+ |
TO-252-2(DPAK) |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
16900 |
原厂原装，价格优势，欢迎洽谈！ |
询价 |
