首页>STD10NM50N>规格书详情
STD10NM50N中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STD10NM50N规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Applications
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STD10NM50N
- 功能描述：
MOSFET N-CH 500 V Pwr 7A Mdmesh II
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
TO-252 |
5000 |
原装正品实单必成 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ST/意法 |
2223+ |
TO-252 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO252 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
STM |
22+ |
TO252 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO220 |
20982 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
18000 |
原装正品 |
询价 |
