STD10P6F6中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STD10P6F6规格书详情
Description
These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all packages.
Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
Applications
• Switching applications
产品属性
- 型号：
STD10P6F6
- 功能描述：
MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGate
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
DPAK |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO-252 |
21 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST |
23+ |
DPAK |
6820 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
强势渠道订货 7-10天 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
标准 |
33957 |
热卖原装进口 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
18500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ST/意法 |
2023+ |
TO252 |
2500 |
专注全新正品,优势现货供应 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-252-3 |
15000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ST |
22+ |
NA |
5000 |
原装正品支持实单 |
询价 |
