STD10P6F6中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STD10P6F6规格书详情
描述 Description
These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
Applications
• Switching applications
产品属性
- 型号：
STD10P6F6
- 功能描述：
MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGate
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO-252 |
20000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-252-3 |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO252 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-252-3 |
1197 |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
STMICRO |
25+ |
N/A |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
ST |
1701+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
ST(意法) |
25+ |
DPAK |
11580 |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
2447 |
DPAK |
105000 |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
