STD10P6F6中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STD10P6F6规格书详情
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
Applications
• Switching applications
产品属性
- 型号：
STD10P6F6
- 功能描述：
MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGate
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
NA |
5000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
504562 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
DPAK |
7248 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ST |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ST专家 |
25+23+ |
DPAK |
29792 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-252-3 |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-252 |
30000 |
公司新到进口原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-252-3 |
1197 |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-252 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
20000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 |
