STD10P6F6中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STD10P6F6规格书详情
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
Applications
• Switching applications
产品属性
- 型号：
STD10P6F6
- 功能描述：
MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGate
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
DPAK |
100000 |
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询价 | ||
ST |
21+ |
TO-252 |
21 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
18500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
DPAK |
5000 |
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询价 | ||
ST |
21+ |
TO252 |
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询价 | ||
ST |
25+ |
TO-252 |
7500 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
9999 |
询价 | |||
ST/意法 |
2517+ |
TO252 |
8850 |
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询价 |
