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STB35N65DM2中文资料N沟道650 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装数据手册ST规格书
STB35N65DM2规格书详情
描述 Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STB35N65DM2
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.11
- Drain Current (Dc)_max(A)
：28
- PTOT_max(W)
：210
- Qg_typ(nC)
：54
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：120
- Qrr_typ(nC)
：570
- Peak Reverse Current_nom(A)
：10.2
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