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STB34NM60ND数据手册ST中文资料规格书
STB34NM60ND规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel FDmesh™ V Power MOSFETs produced using ST’s MDmesh™ V technology, which is based on an innovative proprietary vertical structure. The resulting product boasts an extremely low on-resistance that is unrivaled among silicon-based Power MOSFETs, and superior switching performance with intrinsic fast-recovery body diode.
特性 Features
The world’s best R
DS(on)in TO-220 amongst the fast recovery diode devices
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
技术参数
- 型号：
STB34NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-Ch Power Mosfet 600V 0.097 Ohm 29A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
D2PAK |
98228 |
询价 | |||
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
20000 |
询价 | |||
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
311 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
15000 |
原装现货 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO-263 |
6000 |
全新原装现货、诚信经营! |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-263-3(D2PAK) |
1000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
ST |
22+ |
NA |
3000 |
原装正品支持实单 |
询价 |
