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STB34NM60N数据手册ST中文资料规格书
STB34NM60N规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
:STB34NM60N
- 生产厂家
:ST
- Package
:D2PAK
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.105
- Drain Current (Dc)_max(A)
:31.5
- PTOT_max(W)
:250
- Qg_typ(nC)
:84
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-263-3 |
6004 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-263-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
16900 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
20000 |
询价 | |||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO263 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25 |
TO-263-3 |
6000 |
原装正品 |
询价 |