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STB34NM60N中文资料N沟道600 V、0.092 Ohm典型值、31.5 A MDmesh II功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB34NM60N规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STB34NM60N
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.105
- Drain Current (Dc)_max(A)
：31.5
- PTOT_max(W)
：250
- Qg_typ(nC)
：84
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
311 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
STM |
23+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO220 |
19455 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-263 |
15000 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-263 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 |
