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STB33N60M2中文资料N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB33N60M2规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STB33N60M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.125
- Drain Current (Dc)_max(A)
：26
- PTOT_max(W)
：190
- Qg_typ(nC)
：45.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
STM |
23+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
24+ |
10 |
询价 | |||||
ST |
24+ |
QFN |
5000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TSSOP8 |
6000 |
全新原装 实单来谈 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 |
