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STB33N60DM6数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

STB33N60DM6

功能描述

N沟道600 V、115 mOhm典型值、25 A MDmesh DM6功率MOSFET,D2PAK封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-9 8:38:00

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STB33N60DM6规格书详情

描述 Description

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

特性 Features

• Fast-recovery body diode
• Lower RDS(on) per area vs previous generation
• Low gate charge, input capacitance and resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected

技术参数

  • 制造商编号

    :STB33N60DM6

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :D2PAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.128

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :25

  • PTOT_max(W)

    :190

  • Qg_typ(nC)

    :35

  • Features

    :Fast recovery diode

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)

    :115

  • Qrr_typ(nC)

    :520

  • Peak Reverse Current_nom(A)

    :9

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
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