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STB31N65M5中文资料N沟道650 V、0.124 Ohm典型值、22 A MDmesh M5功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB31N65M5规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs based on the MDmesh M5 innovative vertical process technology combined with the well-known PowerMESH horizontal layout. The resulting products offer extremely low on-resistance, making them particularly suitable for applications requiring high power and superior efficiency.
特性 Features
• Extremely low RDS(on)
• Low gate charge and input capacitance
• Excellent switching performance
• 100% avalanche tested
技术参数
- 制造商编号
：STB31N65M5
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.148
- Drain Current (Dc)_max(A)
：22
- PTOT_max(W)
：150
- Qg_typ(nC)
：55
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2517+ |
TO-263 |
8850 |
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询价 | ||
STM |
22+ |
SMD |
30000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO247 |
20194 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO263-3 |
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ST/意法 |
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NA |
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SST |
原厂封装 |
9800 |
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询价 | |||
ST(意法) |
23+ |
NA |
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ST/意法 |
22+ |
TO-263-3 |
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原装正品 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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询价 |
