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STB33N65M2中文资料N沟道650 V、0.117 Ohm典型值、24 A MDmesh M2功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB33N65M2规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, the devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (Coss) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STB33N65M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.14
- Drain Current (Dc)_max(A)
：24
- PTOT_max(W)
：190
- Qg_typ(nC)
：41.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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ST/意法 |
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ST/意法 |
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ST(意法) |
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