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SPN03N60C3	文件：268.31 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPN03N60C3	文件：5.06587 Mbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistorFeature	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP03N60C3	文件：308.23 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP03N60C3	文件：338.99 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultralowcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤1.4Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPP03N60C3	文件：1.10962 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPP03N60C3	文件：1.99914 Mbytes Page：14 Pages	COOLMOSPOWERTRANSISTOR	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP03N60C3	文件：599.57 Kbytes Page：14 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeExtremedv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPS03N60C3	文件：381.69 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPS03N60C3	文件：574.76 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPU03N60C3	文件：247.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
SPD03N60C3NT
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳庞田科技有限公司	SPD03N60C3中高压MOS管	INFINEON/英飞凌	2023+	TO-252	130000	AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站	询价
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更多SPD03N60C3NT供应商更新时间2025-7-25 11:01:00

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