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SI3433DV-T1	文件：55.35 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET 文件：55.35 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI3433DV-T1-E3	文件：439.19 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch 文件：439.19 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SI3433DV-T1-GE3	文件：440.04 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch 文件：440.04 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SI3443DDV-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP-6	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司上传：深圳市金芯阳科技有限公司	VISHAY
SI3462-E01-GMIC	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN11	SILICON LABS/芯科上传：深圳庞田科技有限公司	SILICON LABS/芯科

详细参数

型号：
SI3433DV-T1
功能描述：
MOSFET 20V 4.3A 2W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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