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IKA15N60T	文件：404.09 Kbytes Page：13 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode Features: •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime5s •TRENCHSTOP™andFieldstoptechnologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -veryhigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IKB15N60T	文件：398.02 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD15N60R	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD15N60R	文件：1.89866 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD15N60R	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD15N60RA	文件：2.18041 Mbytes Page：16 Pages	600VTRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD15N60RF	文件：1.94799 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD15N60RF	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD15N60RF	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD15N60RFA	文件：1.76425 Mbytes Page：16 Pages	OptimizedEon,EoffandQrrforlowswitchinglosses	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKP15N60T	文件：516.549 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKP15N60T	文件：402.83 Kbytes Page：13 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOP™andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode Features: •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime5s •Designedfor: -FrequencyConverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKP15N60T	文件：460.48 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKU15N60R	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKU15N60R	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRFP15N60L	文件：326.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
SGW15N60RUFTM
功能描述：
IGBT 晶体管 600V/15A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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