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IKB15N60T	文件：398.02 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode • Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) • Maximum Junction Temperature 175 °C • Short circuit withstand time – 5µs • Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power S 文件：398.02 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKB15N60T	文件：702.11 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：702.11 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKB15N60T_15	文件：702.11 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：702.11 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKB15N60T	文件：300 bytes Page：1 Pages	600 V、15 A IGBT 分立器件，带反并联二极管，采用 TO263 封装 The 600 V, 15 A hard-switching TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft • Lowest VCEsatdrop for lower conduction losses\n• Low switching losses\n• Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat\n• Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode\n• High ruggedness, temperature stable behavior\n• Low EMI emissions\n• L;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Switching Frequency min：
2 kHz
Switching Frequency max：
20 kHz
Technology：
IGBT TRENCHSTOP™
Voltage Class max：
600 V
IC @ 100° max：
23 A
VCE(sat)：
1.5 V
Qualification：
Industrial
Eon：
0.22 mJ
Eoff Hard Switching：
0.35 mJ
IF max：
30 A
Qrr：
240 nC
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT
Type：
IGBT + Diode
Package name：
PG-TO263-3
td(on)：
17 ns
tr：
11 ns
td(off)：
188 ns
tf：
50 ns
QGate：
87 nC
IC @ 25° max：
26 A
IFpuls max：
45 A
VF：
1.65 V
Irrm：
10.4 A
ICpuls max：
45 A
tSC：
5 µs
Soft Switching：
no

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