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SGW50N60HS	文件：331.07 Kbytes Page：11 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology •30 lower Eoffcompared to previous generation •Short circuit withstand time – 10 µs •Designed for operation above 30 kHz •NPT-Technology for 600V applications offers: - parallel switching capability - moderate Eoffincrease with temperature - very tight parameter distribution • 文件：331.07 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SGW50N60HS	文件：355.61 Kbytes Page：11 Pages	丝印：G50N60HS；Package：PG-TO-247-3；High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation High Speed IGBT in NPT-technology • 30 lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for operation above 30 kHz • NPT-Technology for 600V applications offers: - parallel switching capability - moderate Eoff increase with temperature - very tigh 文件：355.61 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SGW50N60HS_09	文件：355.61 Kbytes Page：11 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation High Speed IGBT in NPT-technology • 30 lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for operation above 30 kHz • NPT-Technology for 600V applications offers: - parallel switching capability - moderate Eoff increase with temperature - very tigh 文件：355.61 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SGW50N60HS	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT Infineon provides a huge IGBT portfolio addressing Soft Switching/Resonant and Hard Switching Topologies. ·30% lower E off compared to previous generation\n ·Short circuit withstand time – 10μs\n ·Designed for operation above 30kHz\n ·High ruggedness, temperature stable behaviour\n ·Pb-free lead plating; RoHS compliant\n ·Qualified according to JEDEC for target applications;	Infineon 英飞凌	Infineon
SGW50N60HSFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 100A 416W TO247-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Switching Frequency min max：
30.0kHz 100.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
50.0A
ICpuls max：
150.0A
Ptot max：
416.0W
VCE(sat) ：
2.8V
Eon ：
1.1mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.9mJ
td(on) ：
50.0ns
tr ：
28.0ns
td(off) ：
255.0ns
tf ：
14.0ns
QGate ：
179.0nC
VCE max：
600.0V
Switching Frequency ：
HighSpeed 30-100 kHz

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