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FGPF15N60UNDF	文件：913.2 Kbytes Page：9 Pages	600V,15AShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription UsingadvancedNPTIGBTtechnology,Fairchild’stheNPTIGBTsoffertheoptimumperformanceforlow-powerinverterdrivenapplicationswherelow-lossesandshort-circuitruggednessfeaturesareessential,suchassewingmachine,CNC,motorcontrolandhomeappliances. Features	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G15N60	文件：339 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highrugg	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
G15N60HS	文件：326.01 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
G15N60HS	文件：820.88 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
HMG15N60	文件：2.02454 Mbytes Page：8 Pages	600V,15A,TrenchFSIIIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMG15N60D	文件：2.02454 Mbytes Page：8 Pages	600V,15A,TrenchFSIIIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMG15N60F	文件：2.02454 Mbytes Page：8 Pages	600V,15A,TrenchFSIIIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMS15N60	文件：995.16 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMS15N60D	文件：995.16 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
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ICE15N60	文件：551.9 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ICEMOSIcemos Technology Icemos 技术	ICEMOS
ICE15N60	文件：996.16 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	MICROSS MICROSS	MICROSS
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ICE15N60FP	文件：584.91 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ICEMOSIcemos Technology Icemos 技术	ICEMOS
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IGB15N60T	文件：688.45 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGB15N60T	文件：364.87 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply •TrenchandFieldstoptechnologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP15N60T	文件：362.11 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology Features: •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime5s •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply •TRENCHSTOP™andFieldstoptechnologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP15N60T	文件：404.96 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStop짰andFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
SGW15N60RUFTM
功能描述：
IGBT 晶体管 600V/15A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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